2020年11月5日，西安紫光国芯半导体有限公司（紫光国芯）在GLOBALFOUNDRIES（格芯）举办的中国全球科技会议上正式发布了基于格芯12纳米低功耗工艺（GF12LP）的GDDR6存储控制器和物理接口IP（GDDR6MC/PHYIP）。与已有的方案相比，新方案在芯片功耗、面积和成本等方面均有明显的提升，并能满足在面向人工智能（AI）和计算应用等热点领域不断增长的需求。
紫光国芯总经理任奇伟博士表示：“人工智能（AI）和网络市场正在迅速增长，因此刺激了对内存带宽需求的增长。借助GF12LP平台优势，我们的GDDR6MC/PHYIP将大幅提升性能，并极大地推动GDDR6应用的发展。”
格芯生态系统和设计解决方案副总裁MarkIreland说：“紫光国芯的GDDR6MC/PHYIP补充了GF12LP平台功能，并且可以很好地支持高带宽内存需求的爆炸式增长。我们和紫光国芯一起合作拓宽了我们的IP和服务范围，进一步向我们的客户提供功能强大且更具成本效益的解决方案。”
西安紫光国芯的GDDR6MC/PHYIP包括一个可配置的内存控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBAAXI4.0标准，并允许设计工程师生成具有优化延迟和带宽的GDDR6控制器以满足高性能应用的要求，如显卡，游戏机和AI计算等。该IP针对功耗和性能进行了优化设计，西安紫光国芯的GDDR6物理接口（PHY）提供了高达12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速率，同时兼容JEDEC250和DFI3.1标准。物理接口（PHY）部分还嵌入了高性能锁相环以满足严格的时序规范。与主流GDDR6存储颗粒集成，经过流片测试验证，该IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据率时满足设计规格要求。且当数据率为16Gbps时，平均每个DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。 |
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