紫光新存储器技术 震撼业界[CSIA]
紫光新存储器技术 震撼业界
更新时间:
2018/8/7 16:01:58
【字体:
】
紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器(NANDFlash)报捷,已自主开发完成最先进的64层3DNAND芯片专利,预计明年完成生产线建置、2020年量产,震撼业界。
近期3DNAND芯片价格走弱,长江存储挟紫光集团资源,投入主流NAND芯片量产,为市场投下震撼弹,对群联、威刚等NAND概念股影响值得观察。
另一方面,长江存储在先进NAND技术报捷,也将牵动后段封测厂订单状况,南茂先前透过处分转投资上海宏茂科技股权予紫光集团,成为国内首家与紫光集团搭上合资联盟的业者,长江存储大量产出后,南茂可望抢食相关封测订单,成为此波大陆大举扩张NAND势力的受惠台厂。
据了解,长江存储将于今天在国际性快闪存储器指标性盛会“快闪存储器高峰会”(FlashMemorySummit)正式公布64层3DNAND芯片专利,向全球展现大陆已具备自主研发快闪存储器技术能力,并追上主流产品脚步,相关产品预计明年量产,加入全球列强竞逐快速成长的NAND芯片市场。
消息人士透露,紫光此次选在国际性盛会公布长江存储自行研发的64层3DNAND芯片专利,等于开放全球存储器大厂公开检视长江存储的64层3DNAND芯片技术布建,向全球宣示大陆在发展快闪存储器的脚步比前一期的32层产品更快,未来将会是3DNAND芯片供应链的重要一员。
据了解,长江存储董事长杨士宁今天亲自上阵,在美国SantaClara举行的“快闪存储器高峰会”正式发表长江存储的64层3DNAND芯片专利。目前全球仅三星、SK海力士、东芝、美光、英特尔等大厂有能力生产相关产品。
长江存储宣称32层3DNAND芯片良率已超过九成,不过由于产品市场接受力有限,长江存储只当做练兵,月产能仅5,000片,预料未来进入64层3DNAND芯片世代将加快量产规模,届时对NAND市场冲击加深,震撼业界。
来源:经济日报
上一篇:
台积电被曝遭病毒入侵,中芯国际严查病毒
下一篇:
历时两年!首批“中国造”32层3D NAND闪存芯片将于Q4量产
打印此文
收藏此页
关闭窗口
返回顶部
热点文章>>
关于做好2022年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制...
国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的...
CSIA关于半导体芯片知识产权的公告
外媒:地缘政治因素或将推动英特尔晶圆代工业务发展
韩国贸易协会敦促韩国加入“Chip 4联盟”
相关文章>>
外媒:地缘政治因素或将推动英特尔晶圆代工业务发展
韩国贸易协会敦促韩国加入“Chip 4联盟”
日月光推出业界首创FOCoS扇出型封装技术
SK海力士:就共同收购ARM事宜,目前尚未推进
传晶圆代工厂正与车企协商涨价 小部分厂商车用芯片或将小幅涨价