芯片是时下热议的焦点，其国产化进程也颇受瞩目。华虹集团旗下上海华虹宏力半导体制造有限公司的90纳米低功耗(LP)嵌入式闪存工艺，以高性能、高可靠性及高集成度实现了高端智能卡芯片的国产化。凭借该工艺，他们在日前于深圳举办的第六届中国电子信息博览会(CITE2018)上，荣获组委会颁发的金奖。作为嵌入式非易失性存储器制造工艺技术方面的专家，华虹宏力获得该奖项当之无愧。
嵌入式非易失性存储器领域一路领先
“炼独门绝技，占行业高地”，这在高科技产业尤其适用。华虹宏力在嵌入式非易失性存储器(eNVM)领域一直保持着业界领先地位，从0.13微米、0.11微米、90纳米一路进行技术升级创新。华虹宏力推出的90纳米低功耗嵌入式闪存工艺平台，以其尺寸小、功耗低、性能高的特点，具有很强的市场竞争优势，推动了新一代应用的快速发展。
华虹宏力的90纳米低功耗嵌入式闪存工艺平台，是国内最先进的200mm晶圆嵌入式存储器技术，可与标准逻辑工艺完全兼容;在确保高性能和高可靠性的基础上，提供了极小面积的低功耗FlashIP，且具有极高集成度的基本单元库，与0.11微米eFlash工艺相比，门密度提升30%以上;其创新的译码电路、电荷泵电路及灵敏放大器电路，使得嵌入式存储器IP性能提高30%以上，功耗降低30%以上。
据该平台研发团队负责人李冰寒博士介绍，该生产工艺充分利用了机台极限能力，IP设计与生产工艺进行了完美结合，无需额外工艺成本，在同一芯片中整合Flash与EEPROM，在面积大幅度减小的情况下，大大提升了产品的集成度，极具国际竞争力，实现了高端嵌入式闪存系列产品国产化。“再加上光罩成本优势，华虹宏力能够为SIM卡、Ukey、SWP、社保卡、交通卡等智能卡和金融IC卡安全芯片产品以及机顶盒、网络设备及物联网设备领域的MCU产品提供高性价比的芯片制造技术解决方案。”李冰寒表示。
专利为技术提供强大支撑
企业若想取得长远发展，必须长期坚持创新研发，打造自主知识产权，华虹宏力深谙这个道理。
华虹宏力90纳米低功耗嵌入式闪存工艺平台具有高度自主知识产权，已累计获得国内发明专利授权多达70件，且有32件国内发明专利正在申请中;同时获得美国专利授权达20件，且有3件美国发明专利正在申请中。如此庞大的专利群，为技术的知识产权累积提供了强大的支撑。这些专利涵盖工艺、设计等，在多个方面均有创新，达到国内领先水平。
而来自公司客户的反馈，也印证了在华虹宏力90纳米低功耗嵌入式闪存工艺平台上生产的芯片产品面积显著减小，性能稳定可靠，并具有低功耗的特点，为芯片制造提供了极具性价比的技术解决方案。
嵌入式闪存工艺平台未来市场前景可期
华虹宏力自2016年宣布90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产后，采用该工艺生产的产品产值短期内就已达到近200万元，并以极快的增速扩大产值，2017年第一季度的销售额已超过了2016年全年，而2017年全年的销售额更是2016年的80多倍。据悉，该技术累计产值已超过670万美元。而业内人士预测，未来基于该工艺生产的芯片产品市场前景可观，经济效益显著。
华虹宏力打破国外大厂垄断，实现了高性能、高可靠性的智能卡等安全芯片的设计和生产制造国产化，为我国集成电路产业的自主知识产权体系添砖加瓦，这是国内集成电路企业肩负的使命。李冰寒博士说，“我们将不断研发创新，坚持深耕嵌入式存储器技术，助力公司持续领航智能IC卡芯片制造领域，并发力物联网、新能源汽车等高增长新兴市场。”
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