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各有关单位：
分立器件分会于2009年5月19日以“中半器协字[2009] 002号”文发出了《关于召开中国半导体立器件2009分市场年会的通知》。
在市场年会期间，决定召开《2009宽禁带及其新型半导体会议》，热忱欢迎广大学者和科技人员投稿参加，同时也欢迎相关设备、仪器制造领域的人员参加会议，交流展览。
会议将邀请王占国院士、张国义、郝跃、蔡树军、徐现刚等国内外半导体科研和产业界的知名学者和精英做大会特邀报告，介绍固体照明、微波功率器件和新型器件的现在与未来。
征文范围：
SiC、 GaN、ZnO、金刚石基以及其它新型材料和器件；传统Si基、GaAs基器件；半导体照明、功率器件以及新型器件的现在与未来；其它化合物半导体材料与器件；模拟计算、封装、测试。
论文要反映国内外最新研究方向和成果，主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位，且尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表。
会议将从投稿中挑选高水平文章作邀请报告。
请在2009年7月30日前用电子邮件附件（Word文档）的形式提交300字的A4幅面的中文摘要（可包括相关图表），并请作者在摘要中注明稿件所属技术领域。
完整稿件通过审查后可以选择在中文核心期刊《半导体技术》、《微纳电子技术》上发表。
《2009宽禁带及其新型半导体会议》联系方式：
E-mail：meiqi789@yeah.net ; yangsenji@163.com
通讯地址：河北省石家庄市179信箱46分箱
邮政编码：050051
电话：0311-87091487
传真：0311-87091477
联系人： 顾忠良杨霏
中国半导体行业协会分立器件分会
专用集成电路国家级重点实验室
二OO九年六月三日 |
