在工信部电子信息司指导下，由中国半导体行业协会主办，中国半导体行业协会分立器件分会、专用集成电路重点实验室和中国电子科技集团公司第十三研究所承办的“2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会”已经于2011年8月9-10日在云南昆明云安会都酒店召开。
　　
　　8月9日上午，中国半导体行业协会分立器件分会赵小宁秘书长主持了研讨会开幕式、特邀报告和主题报告。中国半导体行业协会陈贤秘书长首先致开幕词，对来自全国各地的200多位代表表示热烈欢迎，并对如何贯彻“十二五”规划作了指导性发言，期望研讨会取得圆满成功。CETC十三所赵彦军副所长代表半导体分立器件分会理事长、专用集成电路重点实验室主任、CETC第十三研究所所长杨克武也在会上致辞，欢迎与会代表，预祝会议成功。
　　
　　会议邀请了中国电子科技集团公司科技委副主任赵正平教授、国家半导体照明工程研发及产业联盟副秘书长彭万华教授、比亚迪股份有限公司第六事业部吴海平经理和赛迪顾问半导体与消费电子业务群组李珂总监分别做了《GaN微电子的现状和未来》、《半导体照明产业与技术》、《电动乘用车中的功率电子》和《中国分立器件及功率器件市场发展趋势展望》的特邀报告，对与会代表有很大启发和指导意义。
　　
　　去年末，国务院公布了《加快培育和发展战略性新兴产业的决定》，并把集成电路产业作为核心基础性产业。今年是执行国家“十二五”规划的开局之年，如何坚持以整机应用为牵引，以市场为导向，着力推进技术创新、掌握核心技术、开发优势产品、形成创新特色、调整产品结构，培育形成具有国际竞争力的企业，实现产业群体性跃升发展，是举办这次研讨会的初衷，并收到很好效果。
　　
　　此次会议共出席代表260余人，大部分来自全国各地的企业、高校、研究院所以及分立器件分会会员单位。会议共录用论文(或论文摘要)104篇，整70篇论文在会上宣读。涉及到用于电子装备的新型电力电子器件的设计、制造及其工艺技术；半导体光伏；LED；传感器；MEMS；化合物和宽禁带器件技术；半导体材料；器件制造工艺技术；封装材料和封装技术；测试技术；可靠性。反应了当前国内除集成电路和电力装备电力电子器件以外的几乎所有热门话题，从一个侧面反应了当前我国半导体技术发展的实际情况，对与会者和政府决策机构具有参考意义。
　　
　　研讨会还进行了由分立器件分会理事单位共同参与的“优秀论文”评选活动。经过半导体分立器件分会理事单位的投票推荐，莆田学院郑志霞的《双重掩蔽层实现石英晶体高深宽比刻蚀》等二十二篇论文被评为优秀论文并获得由中国半导体行业协会颁发的优秀论文证书。电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室与扬州扬杰电子科技股份有限公司分别荣获最佳组织奖和优秀组织奖。体现了对优秀科技成果和论文组织者的充分推崇和尊重，受到与会者的欢迎。
　　
　　会议决定，凡是录用的论文可以根据作者意愿，推荐给《半导体技术》或《微纳电子技术》，全文发表；凡是要索取论文的，可以和半导体分立器件分会联系。
　　
　　附件一：《2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》论文汇总
　　
　　附件二：《优秀论文奖》名单
　　
　　中国半导体行业协会分立器件分会
　　
　　2011年9月15日
　　

附件一：《2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》论文汇总
　　
　　特邀报告
　　
　　GaN微电子：现状与未来………………………..………………….………赵正平
　　
　　半导体照明产业与技术…………………………..……………..……………彭万华
　　
　　宽光谱高倍聚光太阳能电池……….………………….….…………………冯冠华
　　
　　电动汽车中的功率电子器件…………………………….….…………………吴海平
　　
　　中国分立器件及功率器件发展趋势展望………....……….………………….李珂
　　
　　综述
　　
　　硅基半导体集成技术的发展趋势…………………………………….………周治平
　　
　　国外石墨烯研究最新进展…………………………………………………….黄庆红
　　
　　宽禁带半导体材料和器件发展动态及军事影响分析……....…….刘雅轩，胡开博
　　
　　美国军用电子元器件技术发展策略………………郭新军，黄庆红，田素梅，等
　　
　　半导体材料和工艺技术
　　
　　硅基底和金刚石基底上沉积ZnO薄膜的工艺研究…….………….…………陈颖慧
　　
　　双重掩蔽层实现石英晶体高深宽比刻蚀……….….…………………………郑志霞
　　
　　MEMS圆片级封装中的键合工艺技术………….………..……………杨静，张富强
　　
　　200mm图形片薄层硅外延工艺研究……..………………袁肇耿，张华，赵丽霞
　　
　　工业生产中清洗液温度对硅片颗粒度的影响…………张倩，熊诚雷，齐旭东，等
　　
　　双面擦片在抛光片最终清洗上的应用…………………史舸，王文，王文卫，等
　　
　　MOSFET铜线键合的研究与探讨………………….………..…………赖辉朋，谭楠
　　
　　Ti-Al-V-O纳米管阵列的制备与热稳定性研究……….….黎朝晖，丁冬雁，宁聪琴
　　
　　华虹NEC深沟槽刻蚀和填充型超级结工艺技术……….........张帅，肖胜安，王飞
　　
　　半导体二极管
　　
　　MOS-D旁路二极管在太阳能光伏中的应用及其可靠性研究…………….…蒋李望
　　
　　反向低击穿硅稳压二极管的制造……………..……………毛建军，胡煜涛，王铮
　　
　　一种新型超势垒快恢复埋沟MOS二极管……….…..…余士江，李泽宏，姜贯军
　　
　　超快恢复二极管软恢复特性研究………….……..….……………张自洋，游佩武
　　
　　1700V高压超快恢复二极管平面结终端结构的优化设计….……….成杰殷丽幼明
　　
　　MPS型超快恢复二极管的设计与研制…………….…..……殷丽，王传敏，王成杰
　　
　　50A车用雪崩整流二极管………………..…….….……汪良恩，殷俊，裘立强
　　
　　恒流二极管特性分析……………………………………魏峰，张新，唐红祥
　　
　　玻璃钝化快恢复二极管的设计与制造…………………………………………..王智
　　
　　功率半导体器件
　　
　　基于深槽刻蚀工艺的600V超结VDMOS器件……………曹鹏飞，祝靖，钱钦松
　　
　　高截止频率RFLDMOS结构设计…………………………毛宁，钱钦松，孙伟锋
　　
　　功率MOSFET概述……………………………………………………………胡冬青
　　
　　1700VPlanarNPTIGBT的设计…………..…..…….……、张超，李泽宏，张金平
　　
　　2500VPlannerNPTIGBT的设计………..…….….….…肖璇，李泽宏，张金平
　　
　　3300V平面型FSIGBT器件仿真研究……..….…….….…张金平，李泽宏，张波
　　
　　VDMOS过温保护功能的实现……………….…………….刘小龙，谢加雄，李婷
　　
　　超结VDMOS器件的研究及最新进展……………….…..…任敏，李泽宏，张金平
　　
　　基于高能离子注入的双通道LDMOS的设计……...……姜贯军，余士江，李泽宏
　　
　　具ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计…..…………谢加雄，刘小龙，李婷
　　
　　双极型晶体管电流增益的温度特性研究………………………李婷，李吉，李泽宏
　　
　　薄框架功率晶体管………..........…………………………….….………谭楠，赖辉朋
　　
　　600VPT及NPT型IGBT产品研制…………………..…………….钱梦亮，陈俊标
　　
　　IGBT技术发展概述………………………………....….…………………….…吴郁
　　
　　一种新型高压平面栅型IGBT的结构与制造……..…..…张斌，韩雁，张世峰
　　
　　沟槽栅FS-IGBT器件形貌结构的开发……………..…….………………饶祖刚
　　
　　高压TrenchIGBT的研制……………………………唐红祥，计建新，孙向东
　　
　　薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的研制…………王中健，程新红,夏超
　　
　　一种新型的700V耐压的横向超结LDMOS器件……………伍伟，杨舰，方健
　　
　　500VVDMOS终端保护结构设计研究……………..…….……张世峰，韩雁，毕向东
　　
　　光电器件和技术
　　
　　SpectralOptimizationofWhiteLEDs…………….HeGuoxing,XuJing,YanHuafeng,
　　
　　白光LED老化寿命试验分析研究…………………………..…………………王兵
　　
　　一种高亮度GaN基LED芯片光电特性研究…..………………于峰，彭璐，刘岩
　　
　　LED环氧灌封工艺可靠性研究…………….……..…………………………….郑智斌
　　
　　LED产业国内外技术发展…………..……………..…………..……江忠永，张昊翔
　　
　　太阳能电池用共掺杂氧化锌透明导电薄膜的研究进展….…..…..……………吴晓丽
　　
　　LCD_TV直下式LED背光源的二次光学透镜设计….…谢志国，金曙光，吴建国
　　
　　白光LED荧光粉研究及应用新进展（摘要）…..….……刘荣辉，庄卫东，何华强
　　
　　交流发光二极管的发展与挑战………….……………………王文杰，陈鹏，于治国
　　
　　晶体硅太阳电池最佳工作电压的温度特性研究……………….……张卫东，刘祖明
　　
　　基于可见光响应的纳米硒半导体器件………….……………….唐平，廖雷，蒋坤朋
　　
　　磁控溅射掺镓氧化锌薄膜的光电性能研究………….………………………….王荣新
　　
　　Mg对N掺杂p型MgZnO的影响规律和机制………….…姚斌，李永峰，魏志鹏
　　
　　高温工作VCSELs的结构设计与MOCVD材料生长………...………曾玉刚，宁永强
　　
　　GaN同质外延和垂直结构LED….……..…….…….……………………张国义
　　
　　化合物半导体材料、器件和电路
　　
　　GaN电力电子器件发展动态…………..………………………….………………刘扬
　　
　　平坦化技术在微波功率SiCMESFET工艺中的应用…………...潘宏菽,商庆杰,默江辉
　　
　　宽禁带材料GaN功率器件………………………………丛宏林，江忠永，张昊翔
　　
　　0.18μm锗硅HBTBiCMOS工艺中的pin开关二极管设计….刘冬华，胡君，钱文生
　　
　　GaN基HEMT器件可靠性研究……….………….…………房玉龙，敦少博，尹甲运
　　
　　外延GaN晶体温度特性与高温动态测温研究………………陈海波，张丽燕，李秀红

　　4H-SiC热导率的测试与分析…………………………….……魏汝省，彭燕，陈秀芳

　　多彩超硬的立方氮化硼…………………………………………贾刚，刘秀环，高延军
　　
　　微波低噪声SiGeHBT的研发………………………….………….张伟，付军，王玉东
　　
　　毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究……张效玮，房玉龙，贾科进
　　
　　In0.17AlN在碱性溶液中化学湿法腐蚀行为研究…..………邢东，冯志红，王晶晶
　　
　　AlGaN基pin型日盲紫外探测器材料的研制……………刘波，袁凤坡，尹甲运
　　
　　4H-SiCVDMOS器件输出特性的仿真与拟合…………………..……张有润，高云斌
　　
　　自然氧化对MOCVD生长的In0.13Al0.87N外延层表面电的影响…周伟,夏素静，李祥
　　
　　20nm凹栅极三维常关型AlGaN/GaNFinHFET设计……………..…汪志刚，陈万军
　　
　　高质量钒掺杂半绝缘碳化硅晶体及其在光导开关上的应用….刘学超，严成锋，黄维
　　
　　Ku波段GaN内匹配功率放大器的设计与分析…………..……戈勤，陈晓娟，罗卫军
　　
　　MEMS和传感器
　　
　　硅基MEMS惯性器件系统集成技术…………..………….……张富强，杨静，孟美玉
　　
　　用软焊料键合实现MEMS晶圆级真空封装………….…….…安兵，唐敢然，孙亚男
　　
　　考虑边缘效应的磁微执行器静态Pull-in参数模型…….……..郄军建，方玉明，徐琳
　　
　　MEMS谐振器的寄生电容噪声抑制…………..……….…………唐梦，冯明，程新红
　　
　　微机电/微光机电系统硅加工与封装工艺发展趋势…….....叶裕德，钱元晧，吴华书
　　
　　射频磁控溅射ZnO压电薄膜及其结构改善工艺研究………陈祝，聂海，吴丽娟
　　
　　平行板式静电微执行器动态Pull-in现象分析……………徐琳，方玉明，郄军建
　　
　　物联网用MEMS传感器的发展趋势…………..……………………………….徐爱东
　　
　　应用于TPMS的压力传感器YAPS10………………….………….毕向东，金玲
　　
　　集成电路设计和制造
　　
　　高密度集成与单芯片多核系统及其研究进展…………..………………李东生，高明伦
　　
　　甚短距离光互连模块技术的发展动态………………………李言胜，吉爱国，聂廷远
　　
　　超低待机功耗AC-DC转换集成电路实现…………..……….陈健，孙伟锋，易扬波
　　
　　ULSICu互连CoSiN扩散阻挡薄膜的研究……….………张在玉，陈秀华，韩永强
　　
　　PMOS金属栅/高k有效功函数调制研究进展…………..……安平，郑晓虎，杨智超
　　
　　22nm技术节点异质栅MOSFETs的特性研究…………………杨颖琳，胡成，朱伦
　　
　　高可靠功率混合集成电路的集成方法…………..………….………………….杨成刚
　　
　　半导体封装
　　
　　绿色环保塑封料的研究与发展概况…………………………宋涛，王超，封其立，等
　　
　　W(Mo)-Cu电子封装材料及其制备新技术…………..…………范景莲，刘涛，田家敏
　　
　　中资芯片塑封料的机遇和挑战……………..…………………………..……...叶如龙
　　
　　高性能的电子封装热沉材料………………………………..….姜国圣，王志法，古一
　　
　　真空紫外用于电子封装的评估研究…………..………….…..………李建雄，刘安华
　　
　　电子封装用高致密超薄钨铜、钼铜热管理材料……………仇治勤，时晓明，李建
　　
　　一种用于胎压传感器的新型系统级封装技术研究………胡建忠，黄钟坚，褚华斌
　　
　　可靠性
　　
　　半导体器件的抗静电性能分析…………..………………..…….…………常天海，常建
　　
　　静电放电对集成电路的影响及防护…………..……….…………………常天海，马威
　　
　　SOIESD保护器件研究…………………..………………夏超，王中健，何大伟，等
　　

附件二：《优秀论文奖》名单

 

序	题  目	作  者	单  位
1	双重掩蔽层实现石英晶体高深宽比刻蚀	郑志霞	莆田学院电子信息工程学系
2	华虹NEC深沟槽刻蚀和填充型超级结工艺技术	张 帅，肖胜安，王 飞，刘继全，刘 鹏	上海华虹NEC电子有限公司
3	MPS型超快恢复二极管的设计与研制	殷 丽，王传敏，王成杰	北京微电子技术研究所
4	MOS-D旁路二极管在太阳能光伏中的应用及其可靠性研究	蒋李望	扬州扬杰电子科技股份有限公司
5	1700V-3300V IGBT的设计和实现	张  超，肖 璇，张金平，李泽宏，任 敏，张  波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
6	具有多种保护功能的DMOS的设计与实现	刘小龙，谢加雄，李 婷，任  敏，张金平，李泽宏，谭开洲，刘  勇，唐昭焕，计建新	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室等
7	基于深槽刻蚀工艺的600V超结VDMOS器件	曹鹏飞，祝 靖，钱钦松，孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
8	高截止频率RF LDMOS结构设计	毛 宁，钱钦松，孙伟锋，时龙兴	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
9	600V PT及NPT型IGBT产品研制	钱梦亮，陈俊标	江苏东光微电子股份有限公司
10	沟槽栅FS-IGBT器件形貌结构的开发	饶祖刚	天津中环半导体股份有限公司
11	高压 Trench IGBT的研制	唐红祥，计建新，孙向东, 孙永生，曹  亮	无锡华润华晶微电子有限公司
12	Spectral Optimization of White LEDs	He Guoxing, Xu Jing, Yan Huafeng, Zhong Ping, Bao Yun and Shu Shuangbao	Dong Hua University，Yaming Lighting Co., Ltd.
13	白光LED老化寿命试验分析研究	王  兵	厦门华联电子有限公司
14	白光LED荧光粉研究及应用新进展	刘荣辉，庄卫东，何华强，刘元红，胡运生，高文贵	北京有色金属研究总院稀土材料国家工程研究中心
15	20 nm凹栅极三维常关型AlGaN/GaN FinHFET设计	汪志刚，陈万军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
16	4H-SiC热导率的测试与分析	魏汝省，彭 燕，陈秀芳， 胡小波，徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室
17	GaN基HEMT器件可靠性研究	房玉龙，敦少博，尹甲运，刘  波，刑  东，王晶晶，冯志红，蔡树军	专用集成电路重点实验室，
18	ULSI Cu互连CoSiN扩散阻挡薄膜的研究	张在玉，陈秀华，韩永强	云南大学物理科学技术学院材料科学与工程系
19	22 nm技术节点异质栅MOSFETs的特性研究	杨颖琳，胡  成，朱 伦，许  鹏，朱志炜，张 卫，吴东平	复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室
20	LED环氧灌封工艺可靠性研究	郑智斌	厦门华联电子有限公司
21	硅基MEMS惯性器件系统集成技术	张富强，杨 静，孟美玉	北京微电子技术研究所
22	MEMS谐振器的寄生电容噪声抑制	唐  梦，冯 明，程新红	中国科学院上海微系统与通信技术研究所