研究机构TECHCET日前预测，用于ALD/CVD工艺的前驱体材料市场规模将在2022年达到8.35亿美元，较2021年增长近13%。
该机构还预计，尽管2023年受外部环境影响市场增速将略有放缓，但随着先进制程逻辑、存储器件需求持续释放，市场仍将维持长期增长韧性，铪(HfO2)将继续作为逻辑器件栅极高K材料，钨(WF6)的增长则来自3DNAND垂直堆叠驱动，钴前驱体消费的驱动因素是20纳米以下逻辑节点的增长高于旧节点，以及在附加金属化层中的使用。
TECHCET总裁/首席执行官LitaShon-Roy表示，“总体而言，由于铪、钴和钨前驱体的强劲增长预期，该前驱体细分市场2021年至2026年的复合年增长率将接近9%。虽然我们看到一些来自俄罗斯的钴前体供应中断，但这不会影响到2026年预计将达到11亿美元的整体市场”。
该机构还指出，设备商正积极寻找更具性价比的解决方案，将进一步增加CVD特别是ALD工艺材料的应用，改进器件的未来技术将促进新前体开发，围绕ALD沉积的新材料，有许多挑战需要解决。薄膜均匀性、沉积覆盖率和完整性都是满足可制造性和产量要求的必要条件。高选择性沉积在过去5年中正越来越受关注。 |
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