在近日举行的三星晶圆代工论坛上，三星电子代工业务总裁Si-youngChoi在主旨演讲中透露，三星将在2025年实现2nm制程的规模化量产，2027年实现1.4nm规模量产。
今年6月30日，三星率先启动了基于GAA(全环绕栅极）架构的3nm制程芯片生产。Si-youngChoi表示，三星将继续提升GAA相关技术，并将其进入2nm和1.7nm节点的制程工艺。
2025年或将成为三星和台积电2nm制程正面交锋的时间点。信息显示，台积电将在2nm节点引入GAA架构，预计2024年下半年进入风险性试产，2025年进入量产。在面向GAA架构的晶体管技术方面，三星在3nm制程采用了MBCFET（多桥通道晶体管）技术，相比其5nm工艺实现了23%的性能提升，降低了45%的功耗并减少了16%的芯片面积。台积电推出了nanosheet技术，其N2制程较台积电加强版的3nm制程可实现同等功耗下10%—15%的速度提升，同等速度下23%—30%的功耗下降。
在2nm及以下制程，高性能计算将成为重要的应用领域和成长动力。据Counterpoint预测，2022年全球云服务供应商的资本性支出将同比增长23%，未来三年保持双位数的年复合增长率，成为台积电以及其高性能计算客户对先进制程保持乐观态度的信心之源。AI、元宇宙、自动驾驶加速了大型数据中心的成长，也为先进制程芯片的需求提升注入了重要动能，其中AI加速芯片的市场需求有望在未来几年保持超过30%的年复合增长率。
这也解释了为什么台积电的2nm制程除推出针对移动处理器的标准制程，还推出了面向高性能计算和Chiplet的整合方案。三星也表示，更加先进的制程技术主要针对高性能计算、人工智能、5G/6G连接和自动驾驶。
不过，2022年第一季度之前连续成为头部代工厂商利润最大来源的移动处理器，也没有停止制程下探的脚步。近日有供应链消息称，苹果预计在三年内逐步更换采用3nmFinfet制程的自研处理器，在2025年率先采用台积电2nmGAA技术研发芯片。
在提升代工技术的同时，头部代工厂商也积极投入先进封装技术以提供系统性的解决方案。Si-youngChoi表示，三星将加速2.5D/3D异构集成封装技术，以提供系统化的代工服务解决方案。三星采用微凸块连接的X-Cube3D封装技术将在2024年做好大规模量产的准备，无凸块的X-Cube封装技术将在2026年问世。 |
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