分析机构TechInsights日前爆料称，三星电子向一家中国台湾地区内存条厂商芝奇（G.Skill）提供了基于高K金属栅极（HKMG）技术的DDR5DRAM内存颗粒。
该机构表示：“我们已经确认三星电子的HKMGDDR5DRAM装载在G.Skill的‘TridentZ5系列’产品中”。该机构还预计HKMG将成为下一代DRAM行业的新标准。
三星电子于去年3月首次宣布DDR5DRAM开发成功，在业界首次实现HKMG工艺大规模应用。
HKMG技术传统上应用于逻辑半导体器件，与传统材料技术相比，HKMG可明显改善漏电流，三星方面曾表示该技术可减少内存功耗约13%，对注重能源效率的数据中心等应用有重要意义。 |
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