联电今（13）日发布公告称，与美商AvalancheTechnology合作推出自旋转移矩磁性存储（STT-MRAM），采用AvalancheTechnology最新一代STT-MRAM技术以及联电的22纳米制程，相较于现有的非挥发性解决方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的优势。
联电前瞻发展办公室暨研究发展副总经理洪圭钧表示，联电凭借着多元的晶圆专工技术和卓越的制造能力，并通过此次与AvalancheTechnology的合作，将满足市场对持久性存储不断提升的需求。
据悉，AvalancheTechnology凭借在多个几何节点上经过验证的STT-MRAM产品以及超过300项专利和应用的组合，该公司正实现下一代可扩展统一内存架构以应用于工业、物联网、航太和储存应用。 |
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