台积电N3E工艺良率进展超预期[CSIA]
 
 
台积电N3E工艺良率进展超预期
更新时间：2022/8/24 15:32:22  
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据知名科技网站Tom‘shandware消息，台积电N3E工艺良率超预期，N3ESRAM的良率明显高于N3，其中256MbSRAM的平均良率约为80%，移动设备以及HPC芯片的良率也为80%左右。据悉，N3E工艺为N3工艺的加强版，其性能和功耗表现更好，此前有消息称苹果M3芯片将采用台积电N3E工艺。
 
来源:《科创板日报》        
 
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