追赶对手!三星电子即将生产236层NAND闪存[CSIA]
追赶对手!三星电子即将生产236层NAND闪存
更新时间:
2022/8/18 16:54:45
【字体:
】
据businessKorea报道,三星电子预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外,它还计划在本月开设一个新的研发中心,负责更先进NAND闪存产品的开发。
当前,存储芯片制造商正在竞相增加其产品层数。SK海力士最近完成了238层产品的开发,美光科技宣布开发出全球首款232层NAND闪存产品。
在NAND闪存市场,三星电子的市场份额占了35%,为全球最高。不过,三星电子目前的层数记录只为176层。韩媒指出,三星正准备将凭借其生产技术和价格和性能的竞争力将其增加60层。
来源:BusinessKorea
上一篇:
SK海力士基于UFS 4.0规范的238层V8 NAND最早明年上半年量产
下一篇:
AMD Ryzen 7000处理器发布会定于8月29日
打印此文
收藏此页
关闭窗口
返回顶部
热点文章>>
关于做好2022年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制...
国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的...
CSIA关于半导体芯片知识产权的公告
外媒:地缘政治因素或将推动英特尔晶圆代工业务发展
韩国贸易协会敦促韩国加入“Chip 4联盟”
相关文章>>