SK海力士拟年内试产238层NAND闪存[CSIA]
 
 
SK海力士拟年内试产238层NAND闪存
更新时间:2022/8/3 11:09:29  
【字体: 】        

SK海力士在近日举行的二季度财报电话会议上透露,计划在年内完成238层NAND试产,并在2023年上半年实现量产。
  
  针对美光近期量产232层NAND的动态,海力士方面表示各家厂商产品发布节奏不同,存储市场目前应专注于提高盈利能力,海力士的目标是实现行业最高水平的盈利能力。
  
  公司方面还表示,计划今年年底实现主力产品176层4DNAND以晶圆形式出货占比70%,以进一步提升毛利率。
  
  针对DRAM市场行情,海力士方面表示,尽管目前DRAM的平均售价(ASP)走低,但成本下降足以弥补ASP变化,公司方面预计今年DRAM出货量将增加约10%,NAND闪存出货量增加20%。
 
来源:SK海力士        
 
  • 上一篇: SK集团豪掷220亿美元投向美国制造业务,用于半导体、新能源等项目
  • 下一篇: 存储芯片动能放缓 三星扩大晶圆代工业务成新引擎
  •   打印此文  收藏此页  关闭窗口  返回顶部      
     
    热点文章>>


       
    相关文章>>