美国一研究团队:立方砷化硼可克服硅作为半导体材料的两个限制[CSIA]
 
 
美国一研究团队:立方砷化硼可克服硅作为半导体材料的两个限制
更新时间:2022/7/26 10:34:00  
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据科技日报报道,来自美国麻省理工学院、休斯顿大学和其他机构的一个研究团队进行的实验表明,一种名为立方砷化硼的材料克服了硅作为半导体的两个限制:为电子和空穴提供很高的迁移率,并具有良好的导热性能。研究人员说,它可能是迄今为止发现的最好的半导体材料。
  
  据介绍,硅作为半导体材料,其性能仍存在缺陷。尽管硅中的电子很容易通过它的结构,但它的空穴迁移率较差。而其他材料,如广泛用于激光的砷化镓,同样具有良好的电子迁移率,但不具有空穴迁移率。更重要的是,硅不太善于传导热量,因此芯片温度总是过热。
  
  新研究表明,砷化硼具有理想半导体所需的所有主要品质,因为它具有电子和空穴的高迁移率。研究人员指出,这一点很重要,因为在半导体中,正电荷和负电荷是相等的。因此,如果要制造一种设备,就希望有一种电子和空穴的移动阻力更小的材料。
  
  科技日报消息称,到目前为止,立方砷化硼只在实验室规模进行了制造和测试,这些产品并不均匀,还需要更多的工作来确定能否以实用、经济的形式制造立方砷化硼。但研究人员表示,在不久的将来,人们可能发现这种材料的一些优势用途,其独特的性质将带来明显改观。
 
来源:科技日报        
 
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