现在，三星、SKhynix、KIOIXA和西部数据(WD)等其他领先的3DNAND厂商已经完成了风险产品阶段，并刚刚进入大批量产品阶段，SSD应用的良率更高。162L/176LTLC芯片具有512Gb或1Tb内存容量，可用于UFS（移动）或cSSD/eSSD产品（例如SKhynixPlatinumP41PCIeNVMeGen4SSD）的TLC或QLC操作。
美光去年领先于其他厂商发布了176L3DNAND产品，而其他厂商似乎在NAND供应不足的市场气氛中平息了呼吸。关于芯片的性能，所有162L/176L3DNAND芯片看起来都相当有竞争力。例如，芯片的程序吞吐量为40~50μs，平均读取时间(tR)为160~184MB/s。
再次，美光首先展示了176LCTFCuA3DNAND芯片，195T用于512GbTLC。与之前的128L512GbTLC芯片(7.755Gb/mm²)相比，通过大幅缩小芯片尺寸，512GbTLC芯片的位密度达到10.273Gb/mm²。
2-deck结构(88L+88L)已用于垂直NAND串集成，仅与Intel除外（144LFGCuA的3-deck结构）。对于三星来说，512Gb176LTLC芯片将是第一代Cell-on-Periphery、COP(CuA)、TCATV7V-NAND，接下来的1Tb238LTLC产品将是第二代COPTCATV8V-NAND.虽然三星176LTLC芯片的位密度(8.5Gb/mm²)比SKhynix512Gb176LV74DPUCNAND(10.8Gb/mm²)和KIOXIA/WD1Tb162LCuABiCS6NAND(10.4Gb/mm²)，预计三星238LTLC裸片将增加到11.5Gb/mm²。
即使是238L，三星也将保留2层结构，这是三星在3DNAND技术方面的优势之一。162LBiCS63DNAND将是铠侠/WD第一款采用CuA概念的产品。
表1.即将推出的新型3DTLCNAND芯片比较；三星176L和238L、SK海力士176L、KIOXIA/WD162L（来源：ISSCC2021、ISSCC2022）
未来如何增加3DNAND的存储容量？
尽管业界已经超越了具有CuA（或PUC或COP或Xtacking）概念的128堆叠WL结构，但3DNAND存储设备现在面临许多挑战，例如减少单元串电流、增加工艺吞吐量、工艺不均匀性、缺陷、寄生负载增加、外围面积减少、WL通道电容增加、RC延迟变化、WL上升时间和单元间干扰增加，以及读/写速度降低。
此外，3DNAND产品也需要高带宽。为了应对和克服上述挑战，NAND厂商已成功开发并应用了新的创新和技术，用于即将推出的176L/238LNAND存储设备，例如：
三星176LTLCV7V-NAND
三星第一代COP结构
2步BL强制(TBF)、2步BL/WL强制(TBWF)以最小化电池Vt变化
MIM垂直电容（电荷泵，CP）最大限度地提高电源效率并减少CP面积
通过LTT或CTT接口切换DDR5.0
三星238LTLCV8V-NAND
三星第2代COP结构
2层集成
偏移消除感应锁存器(OCSL)方案以改善V行程偏移
四组无干扰读取(Q-IFR)方案以减少单元耦合（Vtshift@Read）
用于降低CSL噪声的CSL噪声跟踪（CSL补偿）方案
代码自适应直流保持以减少tCS（建立时间）和功耗
切换DDR5.0接口
SK海力士176LTLCV74DPUC
SKhynix的第3代4DPUCNAND结构
12级页面缓冲区(PB)
1:1PB到缓存连接总线(PBUS)
具有半平面激活的居中X解码器(XDEC)
新的字符串提升（未选择的字符串提升方案）
自适应WL过载(OVD)
用于可变级和频率电荷泵的本地泵升压
铠侠/WD162LTLCBiCS6
铠侠/WD第一代CuABiCS和第六代BiCS
异步独立平面读取(AIPR)技术
新的增强传感（SENIsolation）方案
IO占空比校正(IO-DCC)方案
用于逻辑电路的新扫描链（测试） |
|
