基于3纳米的全环绕栅极（Gate-All-AroundT，简称GAA）工艺有望成为半导体行业的游戏规则改变者。三星电子计划在未来三年内通过建立3纳米GAA工艺，赶上全球第一大代工公司台积电。
GAA是一种下一代工艺技术，它改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面，而不是当前FinFET工艺中的三个侧面。GAA结构可以比FinFET工艺更精确地控制电流。根据集邦咨询的数据，2021年第4季度，台积电占全球代工市场的52.1%，远超三星电子的18.3%。
三星电子押注将GAA技术应用到3纳米制程以赶上台积电。据报道，这家韩国半导体巨头在6月初将晶圆置于3纳米GAA工艺中进行试量产，成为世界上第一家使用GAA技术的公司。它正在寻求通过技术飞跃立即缩小与台积电的差距。与5纳米工艺相比，3纳米工艺将半导体性能和电池效率分别提高了15%和30%，同时芯片面积减少了35%。
继今年上半年将GAA技术应用于其3纳米工艺后，三星计划在2023年将其引入第二代3纳米芯片，并在2025年量产基于GAA的2纳米芯片。台积电的战略是今年下半年进入3nm半导体市场，采用稳定的FinFET工艺，而三星电子则押注GAA技术。
专家表示，如果三星在基于GAA的3纳米工艺中确保稳定的良率，它可以成为代工市场的游戏规则改变者。台积电预计将从2nm芯片开始引入GAA工艺，并在2026年左右发布第一款产品。对于三星电子来说，未来三年将是关键时期。
近日，三星宣布将在未来五年内向半导体等关键行业投资总计450万亿韩元。然而，在推进3纳米过程中存在诸多障碍。与三星一样，台积电在提高3nm工艺良率方面也存在困难。
三星电子也面临着类似的情况。晶圆已投入3纳米工艺中试量产，但由于良率低的问题，该公司一直推迟正式量产公告。现代汽车证券研究主管RohKeun-chang表示：“除非三星电子为其7纳米或更先进的工艺获得足够的客户，否则可能会加剧投资者对三星电子未来业绩的焦虑”。 |
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