比利时研究实验室IMEC已经制定了1nm以下至2埃米（A2）的半导体工艺技术和芯片设计的路径。
据eeNews报道，IMEC首席执行官LucvandenHove在未来大会（Futuresconference）上表示:“我们相信摩尔定律不会终结，但需要很多方面共同做出贡献。”
他提到了几代器件架构，从FinFET器件到插板和原子通道器件，以及新材料和ASML的High-NA光刻机的引入，这需要很多年的时间。目前正在安装的NA原型设备将在2024年投入商用。“我们相信，光刻工具将把摩尔定律扩展到相当于1nm的一代以下。”
但其也表示，为了迈向更先进制程，需要开发新的器件架构，以及推动标准单元的缩小。在FinFET已经成为从10nm到3nm的主流技术的基础上，“从2nm开始，由纳米薄片堆叠而成的GAA架构将是最有可能的概念。”
他提到了IMEC开发的forksheet架构。“这使得我们可以用屏障材料将N和P通道更紧密地连接在一起，这将是一种将栅极扩展到超过1nm的选择。接下来，你可以把N和P通道放在一起，以进一步扩大规模，我们相信我们已经开发了这些架构的第一个版本。”
使用钨或钼的新材料，可以为2028年的1nm（A10）工艺和2034年的4埃米（A4）和2036年的2埃米（A2）结构制造出相当于几个原子长度的栅极。
与此同时，互联性能也需要改善。“一个有趣的选择是将电力输送移到晶圆的背面。这为前端的互连留下了更多的设计灵活性。所有这些都会导致未来15到20年的规模扩大。”
未来的系统芯片设备将使用TSV和微凸点技术进行芯片的3D堆叠集成，并使用不同制程芯片完成不同的任务，使得多个3D芯片需要连接在一个硅中介层上。
“我们一直在开发所有这些技术，就在我们说话的时候，这些技术正在逐渐被工业界采用。” |
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