近日，三星电子宣布开发其通用闪存(UFS)4.0解决方案，这是首款符合最近批准的下一代移动和计算系统JEDEC存储标准的UFS4.0产品。
据介绍，三星UFS4.0将提供每通道高达23.2千兆位每秒(Gbps)的速度。这是之前领先的UFS解决方案(UFS3.1)的两倍。这将使UFS4.0非常适合需要大量数据处理的5G智能手机，例如高分辨率图像和大容量手机游戏，以及汽车和AR/VR应用。
凭借三星第7代V-NAND和专有控制器，新开发的三星UFS4.0将具有4,200兆字节每秒(MB/s)的顺序读取速度和2,800MB/s的顺序写入速度，将提供大约速度分别比之前的UFS3.1产品快2倍和1.6倍。
电源效率也得到了显着提高。三星的新UFS4.0将提供高达每毫安(mA)6.0MB/s的顺序读取速度，比UFS3.1提高了46%。这将允许智能手机在相同的电池容量下使用更长时间。
三星UFS4.0将包括一个先进的重放保护内存块(RPMB)。这种设计在存储重要个人数据方面的效率提高了1.8倍，这些数据只能通过经过身份验证的访问来读取或写入。
这款最新的移动存储解决方案体积极小，最大尺寸为11mmx13mmx1mm。
UFS是什么？
UFS或UniversalFlashStorage是一种较新的闪存规范，旨在取代较慢的eMMC(嵌入式多媒体卡)标准。它由JEDEC设计，于2011年首次推出。
UFS配备了LVDS(LowVoltageDifferentialSignalling)串行接口，用于数据传输。这允许同时执行读取和写入操作。除了支持SCSITaggedCommandQueuing外，UFS还可以同时处理多个命令，并在必要时对任务进行重新排序。
UFS3.1带来了从标准SATA和NVMeSSD到移动设备的更多升级。例如，WriteBooster保留少量容量，并将MLC/TLC/QLC视为SLCNAND记忆体。Pseudo-SLC将充当更高写入速度的缓存。HPB(HostPerformanceBooster)利用机载系统DRAM来储存translationtable或LogicaltoPhysical(LTP)addressmap，以提高随机性能。
尽管性能较差，但目前eMMC仍然是智能手机，平板电脑和笔记本电脑更便宜，更受欢迎的选择。但是，自2015年推出eMMC5.1以来，已没有对其进行重大改进。
相比之下，历经了多代发展的UFS，将随着2022年推出的UFS4.0不断开发，进一步增加频宽至约4800MB/s。UFS可以使用更先进的闪存技术实现更高的性能，效率和耐用性，例如多层3DTLC或QLCNAND记忆体。 |
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