据韩国媒体《TheELEC》报道，三星位于平泽市的P3晶圆厂将于5月开始安装设备，并持续到7月，较原计划时程提前一个月，预计下半年建设完成。
三星平泽市P3晶圆厂于2020年开始建设，占地70万平方米，将成为全球最大晶圆厂厂区，是三星P2晶圆厂1.7倍。三星计划未来几年内对P3晶圆厂的投资将达30万亿-50万亿韩元（约合人民币1563.6亿元-2606亿元）。
据悉，三星平泽市P3晶圆厂既生产存储器又生产逻辑芯片。不过将率先生产NANDFlash快闪存储器，之后开始生产DRAM，最后是3纳米制程晶圆制造与代工产线。
此外，平泽晶圆厂将大量采用极紫外曝光设备(EUV)生产，报道提到，这一工厂的NAND闪存生产线，将采用极紫外光刻机生产第7代176层V-NAND闪存，而为其他厂商代工晶圆的3nm工艺，也需要极紫外光刻机。 |
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