据BusinessKorea报道，三星近期设立了一个新的目标，希望在今年6月前完成基于11nm工艺节点的第六代1cDRAM芯片的开发。消息称，该公司已要求自家研发人员停下或跳过基于12nm工艺节点的1bDRAM芯片的开发，以期扩大并维持较竞争对手（包括SK海力士和美光科技）的技术领先优势。
当然，这不是我们首次看到三星作出类似的决定，此前这家韩国电子科技巨头曾放弃28nmDRAM、并全面转向25nmDRAM的生产。
不过业内专家指出，11nmDRAM的生产并非易事。因其需要先进的技术作为支撑，而当前三星在1aDRAM（10纳米级别的第4代内存产品）的量产上落后于两大竞争对手。
在巨大的压力之下，报道称三星正希望找到一种方法来实现既定目标。 |
|
