英特尔将提前半年投放原定于2025年启用的芯片制造技术[CSIA]
 
 
英特尔将提前半年投放原定于2025年启用的芯片制造技术
更新时间:2022/4/13 16:31:39  
【字体: 】        

经历了多年的制程迭代延期,芯片巨头英特尔现已决定将基于18A工艺的处理器制造计划,提前至2024年下半年。通过Mod3扩建计划,该公司正在扩建其位于俄勒冈州的D1X工厂。新建筑面积为27万平方英尺,用以安装最大的新芯片制造设备。
  
  在帕特·基辛格去年重返公司并担任首席执行官之前,英特尔在制造现代化上已经长期落后于台积电(TSMC)和三星。
  
  随着新CEO的上任,英特尔终于重新制定了路线图,并将于四年内带来五次制造工艺的改进——分别为Intel7、Intel4、Intel8、以及Intel20A和Intel18A。
  
  每一次制程工艺的迭代,都会带来功耗性能方面的积极改进。而为此砸下数百亿美元的英特尔,显然希望在2024-2025年间实现赶超,并通过将芯片制造业重心从亚洲拉回美国本土以重现辉煌。
  
  在俄勒冈州新命名的戈登摩尔园区(GordonMoorePark),英特尔开设了致力于下一代制造工艺的新芯片制造工厂。与此同时,其D1X晶圆厂也投入了30亿美元的Mod3扩建资金。
  
  取得成功之后,英特尔有望在全球布局的晶圆厂内推广D1X工艺。如果能够在2024下半年顺利提前完成预定目标,这对该公司的代工业务部门来说也是个好兆头。
  
  为了从台积电和三星那边挖来芯片代工业务,英特尔已透露IFS客户能够用上该公司的Intel3和Intel18A工艺。今年2月,帕特·基辛格展示过基于测试芯片的18A晶圆,但尚未披露其进展的更多细节。
  
  言归正传,新建的27万平方英尺Mod3大楼具有足够高的天花板、以及足够坚固的地板,能够容纳用于将电路蚀刻到晶圆硅片上的最新机器。
  
  英特尔逻辑技术发展副总裁RyanRussell指出,经过数月的处理步骤,这些微芯片就可完成交付。
  
  最后,尽管在先进的极紫外光刻工艺方面,英特尔一度落后于台积电/三星。但随着爱尔兰Fab34工厂完成了首套EVU设备的安装,意味着该公司将奋起直追。
 
来源:cnBeta.COM        
 
  • 上一篇: 欧组建FD-SOI产业联盟,加速向先进制程推进
  • 下一篇: 应用材料推出CVD升级技术 以支持GAA晶体管结构
  •   打印此文  收藏此页  关闭窗口  返回顶部      
     
    热点文章>>


       
    相关文章>>