国家知识产权局消息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“一种低噪声放大器及射频前端集成电路“专利获授权，授权公告日为7月6日。
专利摘要显示，本发明提供一种低噪声放大器及射频前端集成电路，通过在位于输入端的第一电感两端分别增加接地的第一电容及第二电容，为该低噪声放大器的输入端引入π型匹配网络，使该低噪声放大器的第一电感的电感量缩小为现有技术的1/4，降低了所需输入电感的大小，进而避免了现有技术中由于输入电感过大而导致的难于片上集成、芯片面积大、成本高、Q值下降和影响噪声性能的问题。
此外，本低噪声放大器通过采用增益提升技术，提高了低噪声放大器的等效阻抗，进而提高了该低噪声放大器的电压增益，为该低噪声放大器的多频应用提供了足够的增益。 |
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