国家知识产权局消息显示，中芯国际“半导体结构及其制作方法”专利获授权，授权公告日为6月25日。
据悉，专利权人为中芯国际集成电路制造（上海）有限公司; 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司。
专利摘要显示，所述制作方法包括：在一基底上形成一含氮化合物层；对含氮化合物层进行一热处理工艺；形成一光阻图案层，光阻图案层至少露出部分含氮化合物层。本发明通过在形成一光阻图案层之前，对含氮化合物层进行一热处理工艺，热处理工艺可以破坏含氮化合物层表面的氮键的活性，使得在光阻图案层形成期间，含氮化合物层的表面不会出现氮键与空气或者清洗工艺中的氢键发生反应，从而可以防止产生残胶。
据介绍，通过所述制作方法制成的半导体结构的CD稳定，具有良好的产品品质和性能。 |
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